最近，ESMT & Richmax举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop，ESMT的技术人员在会上具体揭示了ESMT 3D NAND的计划以及一些技术上的细节。

3D NAND Flash优势

1）存储密度可以达到现有闪存的三倍以上，未来甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出来。

2）每单位容量成本将会比现有技术更低，而且因为无需再通过升级制程工艺、缩小cell单元以增加容量密度，可靠性和性能会更好。

ESMT的3D NAND Flash芯片

在的3D NAND时代，ESMT将推出自己的TLC闪存。不过，无论是TLC还是MLC骑士都是同一块芯片，客人可以根据自己的需求选择闪存是MLC模式还是TLC模式，在MLC模式下每Die容量是256Gb，而TLC模式下每Die容量是384Gb。

ESMT 3D NAND目前会使用32层堆叠，电荷存储量和当年的50nm节点产品相当，第二第三代产品依然会保持这样的电荷量，以保证产品的可靠性。ESMT的3D NAND代号是L06B/B0KB。

L06B是MLC产品的代号，采用ONFI 4.0标准，Die Size 32GB，Page Size 16KB，使用4-plane设计，虽然会带来额外的延时，但同时也提供了比目前常见的2-plane设计闪存高1倍的读写吞吐量，闪存寿命是3000 P/E。

B0KB则是TLC产品的代号，由于是同一芯片所以许多东西都是L06B一样，当然容量、性能与寿命什么的肯定不同，Die Size 48GB，闪存寿命是1500 P/E，由于是TLC所以需要ECC标准是更高的LDPC。

ESMT 3D NAND全部会使用132-Ball BGA封装，L06B可以从256Gb（32GB）到4096Gb（512GB）的产品，还可以做出更大容量的SSD。

工作模式

MLC工作的模式有2-pass和1-pass两种编程模式，默认的是2-pass编程模式，第一次编程lower page的数据写入到NAND阵列里面，而第二次编程则会把upper page的数据写入。1-pass编程模式的意思当然就是指一次编程就把lower page与upper page的数据都写入到NAND阵列里面，这样可以节省15%的编程时间，但是用这种算法的话闪存寿命会比两步编程模式时低一些。

TLC的编程算法则要比较复杂，第一步和MLC的一步编程模式相类似，就是直接把lower page与upper page一齐写入到NAND阵列里面，第二步则是写入extra page的数据，由于算法复杂，第二部编程时需要对数据进行ECC校验。

上面所说闪存的2-pass MLC、1-pass MLC与TLC工作模式是可以用使用指令随时切换的，这对厂家来说闪存的使用会变得非常灵活，当然产品的用户是不能这样乱改工作模式的。

至于ESMT的3D NAND什么时候会开始供应，今年Q3中旬会开始相各个合作伙伴提供测试样品，MLC/TLC的都有，2015年Q4末开始大规模供货，产品的定价会根据那时的市场情况再决定。